PMPB14XNX

制造商: NEXPERIA USA INC.

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 8.1A(Ta) 3,8W(Ta),12,5W(Tc) DFN2020MD-6

物料参数

FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):18毫欧 @ 8,1A,4,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):28 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1625 pF @ 20 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3,8W(Ta),12,5W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DFN2020MD-6
封装/外壳:6-UDFN 祼焊盘